삼성전자 차세대 나노미터와 트랜지스터 기술

삼성전자

삼성전자 가 초저나노 영역으로의 신속한 전환을 가능하게 하는 새로운 게이트 만능(GAA) 트랜지스터 기반의 순수 플레이 1위 파운드리 대만반도체제조(TSMC)를 앞두고 내년 상반기 3나노 공정에서 칩셋 추출을 시작한다.

삼성전자는 20일 제5차 삼성 파운드리 포럼에서 GAA 트랜지스터의 핵심 특징과 내년 상반기 3나노 칩, 2023년 2세대 3나노 칩, 2025년 2나노 칩 양산이 이뤄질 차세대 마이그레이션 로드맵을 공개했다.

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삼성전자 가 업계 최초로 3나노 칩을 상용화한다.

외신에 따르면 TSMC는 내년 7월부터 3나노 공정을 적용해 인텔용 중앙처리장치(CPU)와 그래픽처리장치(GPU)를 생산할 계획이다. 

삼성전자 는 지난해 11월 협력사와 2022년까지 3나노 칩을 양산하겠다는 비전을 공유한 이후 첫 후보로 검토됐다.

일정을 앞당김으로써 삼성전자는 칩 제조 기술 선두 자리를 쉽게 내주지 않을 것이라고 밝혔다.

삼성전자 주가는 6일 오전 0.98% 오른 7만2000원(60.5달러)을 기록했다.

GAA 트랜지스터는 나노시트 폭 제어를 기반으로 누설을 낮추고 성능을 높이며 밀도를 높일 수 있다.

이 과정을 통해 삼성전자는 이 칩이 5나노 공정 대비 30%, 전력 소비량 50% 감소, 칩 면적 최대 35% 감소 등을 보일 것이라고 주장하고 있다.

삼성전자는 2025년부터 2나노 공정에 3세대 GAA 구조를 적용한다.

TSMC는 2나노 공정 GAA 적용을 목표로 하고 있어 신세대 트랜지스터 기술에서도 더 빠르게 움직일 것으로 보인다.

삼성전자는 칩을 설계하는 사내 시스템LSI에 3GAA 칩을 처음으로 공급할 것으로 보인다. 

시스템LSI는 갤럭시 프리미엄폰에 동력을 공급하는 엑시노스 모바일 애플리케이션프로세서의 차세대 제품을 생산하기 위해 3나노 공정을 적용할 계획이다.

삼성전자 3나노 파운드리에는 세계 4대 팹리스 칩 디자이너 중 하나인 미국 AMD가 첫 외부 고객이 될 수 있다. 

소식통에 따르면 AMD는 내년 말이나 2023년 초부터 3나노 공정을 적용한 GPU 일부를 양산하기 위해 삼성전자와 협의 중이다. 

확정되면 AMD와 삼성전자의 첫 칩 협업이 된다.

최시영 삼성전자 파운드리사업부장(사장)은 “실리콘 규모를 한 단계 더 키우고 응용에 의한 기술 혁신을 지속하면서 전반적인 생산능력을 높이고 첨단 기술을 선도하겠다”고 말했다. 

경제뉴스

“Covid-19 대유행으로 인해 촉발된 추가적인 디지털화는 고객들과 파트너들이 적절한 기술을 적시에 제공하기 위한 실리콘 구현의 무한한 가능성을 발견하게 될 것이다.”